Mild Hydrothermal Synthesis, Characterization and Properties of Na_5Ce(PO_4)_3, Na_3Yb_2(PO_4)_3·H_2O and Na_(5-2x)Yb_2xCe_(1-x)(PO_4)_3·yH_2O

IntroductionRare earth phosphates have been widely studied due to their important properties and potential technological application. The early studies of cerium phosphates focused on their inter..esting ion exchange properties, and a series of such compounds was prepared['--']. Rare earthorthophosphates are also regarded as promising phosphors for fluorescent tubes because oftheir luminescence properties["']. Since crystal NdP,O,. was discovered to have efficient laseremi.sion[6'7), the pol…     

Study of the Laser Light Effect on Improving Sheep Semen Quality

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星系密度波在不稳定阶段的演化规律

本文从密度波的演化模式出发,给出了星系密度波经过不稳定阶段达到准稳阶段的演化过程。文中指出密度波在不稳定阶段的主要性质:“准物质臂性”。由于这一性质,在振幅迅速增长的同时,波形会发生“缠绕”,从而造成曳式波,并使波数增加。当波数增加到一定程度,振幅的迅速增长及波形的缠绕会自动停止,于是达到准稳阶段。在假定了共转圈附近Q<1后,便可得出如下物理图象:密度波在共转圈附近的不稳定区产生、逐渐缠绕成曳式短波,在达到准稳后,便向共转圈两侧以群速传播出去。由于不稳定区可以不断地生成密度波,使长期维持不成为一个严重的问题。     

摄像机标定技术在活塞视觉检测与分选中的应用研究

在机器人视觉检测及自动化分捡中,准确地校正摄像机镜头畸变对获取物体精确图像及确定物体准确位置具有重要意义。采用了带有径向畸变的小孔摄像机模型及基于线段斜率的标定方法。在标定过程中,应用线性算法求解出了镜头的径向畸变系数。实验表明,采用的标定方法简捷有效,其标定结果能够满足研究需要。     

开边界条件下一类新Hubbard模型的精确解

用坐标Bethe ansatz方法详细研究了开边界条件下一类新Hubbard模型的可积性问题. 得到了系统的能谱、可积边界条件和Bethe ansatz方程.     

最小Higgs模型在ILC上可能的味改变物理迹象

在最小Higgs(LH)模型中, 由于引进了类矢量顶夸克T, 对弱作用流产生了新的影响. CKM矩阵从3×3变为4×3, 在树图下出现味改变中性流(FCNC). 本文研究了在国际高能直线对撞机(ILC)上能否通过e⁺e^－→tc+tc和e⁺e^－→WWν_eν_e→(tc+tc) ν_eν_e过程探测到LH模型所预言的FCNC信号.     

低能量阈高纯锗探测器用于暗物质探测实验研究

一个位于韩国江原道襄阳郡地下实验室的暗物质WIMP探测实验中, 采用了低能量阈高纯锗探测器, 带有碘化铯晶体反符合探测器作为主动屏蔽体. 整个系统设置和能量标定已经完成, 并且已经积累了约155d的本底数据. 还应用外置伽玛源和中子源进行了实验, 以判断本底的来源. 介绍了数据的分析和初步结果, 并给出了实验诱人的前景.     

CsI(Tl)晶体探测器APD读出的温度效应

对中国科学院近代物理研究所自行生长的铊激活碘化铯闪烁晶体CsI(Tl)光输出及Hamamtsu公司生产的S8664-1010型雪崩光二极管(APD)增益对温度的依赖关系做了系统研究. 结果表明, CsI(Tl)晶体光产额在室温范围内随着温度的增加而增加, 在－2℃—8℃温度范围内的平均温度系数为0.67%/℃, 在8℃—25℃温度范围内的平均温度系数为0.33%/℃. 而对所使用的APD, 其增益在室温范围内的温度系数为－3.68%℃(工作电压400V). APD结合CsI(Tl)晶体在室温下对¹³⁷Cs的662keV γ射线的能量分辨可达5.1%.     

壳聚糖与Cd(Ⅱ),Pb(Ⅱ),Ce(Ⅲ),Zr(Ⅳ)配合物的制备及光谱分析

用壳聚糖(CTS)分别与硝酸亚铈,硝酸锆,硫酸镉和硝酸铅在酸性介质中反应,制备了壳聚糖-Ce(Ⅲ)、壳聚糖-Zr(Ⅳ)、壳聚糖-CA(Ⅱ)、壳聚糖-Pb(Ⅱ)四种壳聚糖-重金属离子配合物(用通式M-CTS表示).用红外光谱(IR)、X-ray衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)等光谱分析手段对M-CTS进行了结构表征.结果表明:在壳聚糖-Cd(Ⅱ)配合物中的配位原子是壳聚糖-NH2上的N原子,而在壳聚糖-Ce(Ⅲ)、壳聚糖-Zr(Ⅳ)、壳聚糖-Pb(Ⅱ)配合物中不仅壳聚糖-NH2上的N原子参与了配位,同时OH上的O原子也参与了配位.说明不同的重金属离子与壳聚糖之间形成配位键的配位原子是不完全相同的.     

GaN MOS-HEMT Using Ultra-Thin A1203 Dielectric Grown by Atomic Layer Deposition

We report a GaN metal-oxide-semiconductor high electron mobility transistor （MOS-HEMT） with atomic layer deposited （ALD） Al2O3 gate dielectric. Based on the previous work [Appl. Phys. Lett. 86 （2005） 063501] of Ye et al. by decreasing the thickness of the gate oxide to 3.5nm and optimizing the device fabrication process, the device with maximum transconductance of 150mS/mm is produced and discussed in comparison with the result of lOOmS/mm of Ye et al. The corresponding drain current density in the 0.8-μm-gate-length MOS-HEMT is 800mA/mm at the gate bias of 3.0 V. The gate leakage is two orders of magnitude lower than that of the conventional A1GaN/GaN HEMT. The excellent characteristics of this novel MOS-HEMT device structure with ALD Al2O3 gate dielectric are presented.